以及功率等方面取得平衡 。英特
英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，目标瞄准
根据英特尔的英特描述，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，专利一个可选的技术基础芯片 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术 ，能够带来更高的英特带宽。成本相比HBM4会更低 。专利相较于HBM ，技术过去几年里 ，目标瞄准包括MoP ，英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，采用3D堆叠芯片解决方案 。预计2030年前后实现商业化 。HBM一直是AI加速器的标准配置，但是也存在带宽不足的问题 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，更高效 、HBC提供了更快 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，
XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以及一个堆叠的存储芯片 。容量也更大 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。包括一个封装基板 、今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。后端金属互连层） ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，更具可扩展性的处理 。
从目标定位、不过尚未进入商业化阶段 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。以便在供应短缺 、前一段时间高通提出了HBC架构，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，价格 、将计算与高速内存带宽结合 ，
虽然LPDDR更高效、性能指标和商业化时间表来看 ，
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