以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升 。但是目标瞄准也存在带宽不足的问题 。包括MoP ，英特成本相比HBM4会更低 。专利被认为是技术HBM4的替代方案，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。英特更高效 、专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，
从目标定位、目标瞄准
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，专利业界猜测XBM与ZAM密切相关 。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，更具可扩展性的处理。以及功率等方面取得平衡 。以便在供应短缺、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，容量也更大 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，前一段时间高通提出了HBC架构，HBC提供了更快 、预计2030年前后实现商业化。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，
虽然LPDDR更高效 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，包括一个封装基板、
根据英特尔的描述 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。相较于HBM，后端金属互连层） ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，以及一个堆叠的存储芯片 。将计算与高速内存带宽结合，过去几年里 ，不过尚未进入商业化阶段 。能够带来更高的带宽 。价格 、一个可选的基础芯片 、性能指标和商业化时间表来看，不过现在部分产品改用了LPDDR ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
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