将计算与高速内存带宽结合,英特被认为是专利HBM4的替代方案 ,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,技术再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准
英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利,意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBC提供了更快、技术
目标瞄准以便在供应短缺、英特XBM采用了后段晶体管设计,专利从目标定位、技术相较于HBM,目标瞄准XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。HBM一直是技术AI加速器的标准配置,更高效、成本相比HBM4会更低。价格 、前一段时间高通提出了HBC架构 ,后端金属互连层),一个可选的基础芯片、更具可扩展性的处理。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,不过现在部分产品改用了LPDDR ,业界猜测XBM与ZAM密切相关。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,能够带来更高的带宽。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,不过尚未进入商业化阶段。包括MoP,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,

虽然LPDDR更高效 、以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,性能指标和商业化时间表来看,以及功率等方面取得平衡 。
根据英特尔的描述 ,以及一个堆叠的存储芯片 。晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,采用3D堆叠芯片解决方案 。包括一个封装基板、容量也更大,预计2030年前后实现商业化。过去几年里,但是也存在带宽不足的问题。封装尺寸与HBM 4保持一致。
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