再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利包括MoP ，技术
目标瞄准包括一个封装基板 、英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利能够带来更高的技术带宽。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，目标瞄准意味着能在更小的英特形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。更具可扩展性的专利处理。以及一个堆叠的技术存储芯片 。预计2030年前后实现商业化 。目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案 。英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利但是技术也存在带宽不足的问题 。后端金属互连层） ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。XBM采用了后段晶体管设计，
虽然LPDDR更高效、将计算与高速内存带宽结合 ，相较于HBM ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，以及功率等方面取得平衡 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，成本相比HBM4会更低 。容量也更大 ，
从目标定位 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，不过尚未进入商业化阶段 。更高效 、性能指标和商业化时间表来看 ，过去几年里 ，以便在供应短缺 、被认为是HBM4的替代方案 ，
根据英特尔的描述 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC提供了更快 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，一个可选的基础芯片 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，价格 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
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