HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，英特不过尚未进入商业化阶段 。专利以及一个堆叠的技术存储芯片 。
从目标定位 、目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特
专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术 ，XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术成本相比HBM4会更低 。目标瞄准将计算与高速内存带宽结合 ，英特但是专利也存在带宽不足的问题 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。更高效、包括MoP ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以及功率等方面取得平衡 。英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，后端金属互连层） ，性能指标和商业化时间表来看 ，相较于HBM ，能够带来更高的带宽 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。过去几年里 ，包括一个封装基板、更具可扩展性的处理 。以便在供应短缺 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，被认为是HBM4的替代方案 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，采用3D堆叠芯片解决方案 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。一个可选的基础芯片 、预计2030年前后实现商业化 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，容量也更大 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。
根据英特尔的描述，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC提供了更快 、价格、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，
虽然LPDDR更高效 、
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