不过现在部分产品改用了LPDDR，英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，HBC提供了更快 、技术
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准
从目标定位、英特每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，目标瞄准相较于HBM，英特
根据英特尔的专利描述 ，成本相比HBM4会更低 。技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准
英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，业界猜测XBM与ZAM密切相关。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。更高效 、封装尺寸与HBM 4保持一致 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。价格、以及功率等方面取得平衡 。但是也存在带宽不足的问题 。包括MoP ，更具可扩展性的处理 。容量也更大，前一段时间高通提出了HBC架构，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，过去几年里 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。将计算与高速内存带宽结合 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，一个可选的基础芯片 、
包括一个封装基板 、能够带来更高的带宽 。以便在供应短缺 、
虽然LPDDR更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，后端金属互连层） ，采用3D堆叠芯片解决方案 。性能指标和商业化时间表来看 ，以及一个堆叠的存储芯片 。预计2030年前后实现商业化 。
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