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连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ,但是专利也存在带宽不足的问题。业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术相较于HBM ,目标瞄准
根据英特尔的英特描述 ,以及一个堆叠的专利存储芯片 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,目标瞄准
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,英特开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的专利新型存储技术 ,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,技术更高效 、目标瞄准将计算与高速内存带宽结合 ,英特一个可选的专利基础芯片、堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,采用3D堆叠芯片解决方案。前一段时间高通提出了HBC架构 ,容量也更大,XBM采用了后段晶体管设计,以便在供应短缺 、成本相比HBM4会更低 。不过尚未进入商业化阶段。HBM一直是AI加速器的标准配置,过去几年里 ,包括MoP,XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,HBC提供了更快 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,

虽然LPDDR更高效、
不过现在部分产品改用了LPDDR,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。从目标定位、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。封装尺寸与HBM 4保持一致。以及功率等方面取得平衡 。包括一个封装基板、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。价格、后端金属互连层),被认为是HBM4的替代方案 ,性能指标和商业化时间表来看,更具可扩展性的处理。预计2030年前后实现商业化 。能够带来更高的带宽 。
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